英伟达RTX 50系显卡计划采用新接口：功耗提升，台积电3nm还压不住？
英伟达预计将会在GTC大会上公布最新的英伟用新压Blackwell架构，当然首发的达R电自然是计算卡，毕竟现在AI这么火爆，系显尽管英伟达依靠AI布局赚的卡计是盆满钵满，但是划采m还英伟达还希望利用更强的计算卡来让企业买单。不过对于游戏玩家来说，接口大家更加关心的功耗应该就是基于Blackwell打造的游戏显卡也就是下一代RTX 50系显卡，预计也将在24年末或者25年上半年跟消费者见面。提升台积然而更加强大的英伟用新压性能或许代表着显卡拥有更高的功耗，即使采用新一代制程工艺也无济于事。达R电
根据最新的系显爆料消息，GeForce RTX 50系显卡将同样搭载16 Pin的卡计供电接口，不过对接口标准进行了更换，划采m还从而让显卡的接口最大功耗将有所提升，另外为了让供应链更加简化，功耗英伟达称除了RTX 5090、RTX 5080以及RTX 5070之外，包括RTX 5060这样的主流显卡也将采用16 Pin供电接口。爆料称现在的RTX 40系显卡采用的是H+也就是12VHPWR标准，最高功率为600W，而新一代的16Pin供电接口为H++也就是12V-2X6标准，最大功率为675W，也就是说新一代显卡很有可能功耗要比现在的显卡高出40-50W。
据悉，英伟达将会在新一代计算卡和游戏卡上采用Blackwell架构GPU，将会搭载台积电3nm制程，拥有更高的晶体管密度，相同功耗下性能可以提升15%，而考虑到新一代显卡的功耗普遍有所提升，显然显卡性能的提升幅度应该不会差到哪里去，还是让人十分地期待。毕竟现在除了游戏之外，像是AIGC等也被大家所青睐，自然对于显卡的性能要求要比以前更加严苛。如果说显卡的功耗提升不是太离谱，在拥有60-70%的性能提升，相信大家完全可以接受。
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