英特尔透露14A工艺更多信息：能效提升15%，首次采用下代EUV技术

英特尔这几年在制程的英特研发投入上可以说前所未有，毕竟距离台积电的尔透制程水平有着一定的差距，也让英特尔感到有点不能接受。工艺更多当然这几年英特尔在制程上的信息下代进展也是十分地迅速，接连推出Intel 7、提升Intel 4、首次术Intel 3，采用并且预计将会在今年推出Intel 20A以及Intel 18A等工艺，英特而在最新的尔透路线图中，英特尔已经添加了Intel 14A和10A工艺。工艺更多在一次技术会议上，信息下代英特尔介绍了Intel 14A的提升部分技术细节。

在一次光学技术会议上，首次术英特尔向行业内人士透露了最新的采用Intel 14A工艺的技术细节。首先是英特性能，根据英特尔的介绍，Intel 14A将会比目前的Intel 18A在晶体管密度上提升20%，而在能效上提升15%。此外英特尔也将计划打造Intel 14A-E工艺，相比较初代Intel 14A在性能上提升5%。

当然想要实现如此先进的工艺，就需要强大的光刻机，之前英特尔订购了ASML最新的高NA光刻机，造价达到了数十亿人民币，而未来英特尔也将使用高NA光刻机从事晶圆的制造。英特尔表示高NA光刻机将会在Intel 14A上正式应用，而Intel 18A主要是作为新的光刻技术的训练与学习。

英特尔还表示已经有很多客户打算基于Intel 18A工艺从事芯片设计与研发，不过Intel最新的14A工艺还没有客户官宣。对于英特尔来说，随着设计与代工部门的分家，未来英特尔代工部门将会为芯片设计企业制造更多的晶圆，自然在制程技术上比主要对手台积电更加出色。

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